Electronic properties of Al-SiO2-(n or p) Si MIS tunnel diodes
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Epitaxial Si-based tunnel diodes
Tunneling devices in combination with transistors offer a way to extend the performance of existing technologies by increasing circuit speed and decreasing static power dissipation. We have investigated Si-based tunnel diodes grown using molecular beam Ž . q q epitaxy MBE . The basic structure is a p layer formed by B delta doping, an undoped spacer layer, and an n layer formed by Ž . Sb delta ...
متن کاملSi/SiO2 Multiple Quantum Wells: Electronic and Optical Properties
Theoretical investigation of the size effect in Si/SiO2 multiple quantum wells (MQW) is undertaken. Two modifications of the standard rectangular potential well model are introduced that provides satisfactory fit of the experimentally observed size effect in samples with extremely thin silicon layers. Both linear and nonlinear conductivity tensors of the Si/SiO2 MQW are calculated. Generalized ...
متن کاملn-ZnO nanorods/p+-Si (111) heterojunction light emitting diodes
In this study, we report the effects of thermal annealing in nitrogen ambient on the optical and electrical properties of zinc oxide (ZnO) nanorod (NR) arrays for the application in light emission diodes (LED). The single-crystalline ZnO NR array was synthesized on p+-Si (111) substrate without seed layer using simple, low-cost, and low-temperature hydrothermal method. The substrate surface was...
متن کاملتشکیل فاز مولایت در فرایند اکسید شدن سیستم‌های Al2O3+Si، Al+Si و SiO2+Al
در این مقاله، اثر ترکیب مواد اولیه بر ویژگی?های فازی و ریزساختاری بدنه?های مولایتی بررسی شده است. سه سیستم SiO2+Al, Al2O3+Si و Al+Si با فرض اکسید شدن کامل عناصر Al و Si انتخاب شدند. مواد اولیه در محیط الکل اتیلیک توسط همزن مغناطیسی، مخلوط و پس از سپس خشک شدن، و گرانول? سازی شده و در گستره دمایی�C1600-700 حرارت دیدند. نتایج نشان می?دهد که در سیستم Al2O3+Si پس از دمای �C1450 فاز مولایت تشکیل می?ش...
متن کاملTrap-mediated electronic transport properties of gate-tunable pentacene/MoS2 p-n heterojunction diodes
We investigated the trap-mediated electronic transport properties of pentacene/molybdenum disulphide (MoS2) p-n heterojunction devices. We observed that the hybrid p-n heterojunctions were gate-tunable and were strongly affected by trap-assisted tunnelling through the van der Waals gap at the heterojunction interfaces between MoS2 and pentacene. The pentacene/MoS2 p-n heterojunction diodes had ...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Revue de Physique Appliquée
سال: 1985
ISSN: 0035-1687
DOI: 10.1051/rphysap:0198500200103700